CÁLCULO DE BANDA DE ENERGÍAPROHIBIDA DE CdTe POR EL MÉTODO DE

PUNTO DE INFLEXION

Oswaldo Morales Morales,Kleber Janampa Quispe ,Octavio Cerón BalboaJulio Oré García,(CER-UNSCH ) wal23do@gmail.com

UNSCH

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN CRISTOBAL DE HUAMANGA

OBJETIVO:

Calcular la banda de energía prohibida del semiconductor hechode teluro de cadmio (CdTe )

INTRODUCCIÓN:

CdTe•Como material puro:

Semiconductor Intrínseco.

•Dopado:Semiconductor tipo “p”.

Ampliamente utilizado en la fabrica-ción de células solares CdTe/CdS yotros dispositivos optoelectrónicos

Banda de Energía prohibida

B.V

B.C

Banda ProhibidaEg

MÉTODOS Y MATERIALES

1. Implementación del sistema CSS1. Implementación del sistema CSS

2. Preparación de muestra2. Preparación de muestra

3. Deposición de lámina fina de CdTe.3. Deposición de lámina fina de CdTe.

4. Mediciones4. Mediciones

MÉTODOS Y MATERIALES

1. Implementación del sistema CSS.

Horno para sublimar el teluro de cadmio

MÉTODOS Y MATERIALES

2. Preparación de muestra

MÉTODOS Y MATERIALES

3. Deposición de lámina fina de CdTe

Vacío: 300 mTorr; T=520 o C; t=15 min, enfriamiento.

20 30 40 50 60 70 80

0

10000

20000

30000

40000

50000

(511)(422)(331)(400)

ua

2 ( 0 )

CdTe

(111)

(220) (311)

RESULTADOS Y DISCUSION

Difracción de rayos X de CdTeLámina, semiconductor de CdTe

depositado sobre vidrio.

4. Mediciones : DRX

350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950 10000

20

40

60

80

100

Tran

smita

ncia

%

Longitud de onda (nm)

B

CdTe

Curva de Transmitancia de CdTe

RESULTADOS Y DISCUSION

Mediciones: T

v ( )c g ohv E E E

( )g g oo

hcE E

Material λ (nm) Eg(eV)

CdTe 825.9450 1.5010

RESULTADOS Y DISCUSION

Cálculo de la bandaProhibida de CdTe

CONCLUSIONES:

1. El valor de la banda de energía prohíba encontrado para elteluro de cadmio, en este trabajo, es de .

2. El método de punto de inflexión, para el cálculo de labanda de energía prohíba de semiconductores, en estecaso mostró ser eficiente por su sencillez y operacionesfáciles involucrados; el valor obtenido concuerda muy biencon los valores estándares que se encuentra en la literaturade semiconductores.

CONCLUSIONES:

3. Se mostró la importancia y la sencillez del método depunto de inflexión para el cálculo de bandas de energíaprohibida de semiconductores que presentan punto deinflexión en su curva de transmitancia.

4. Para la determinación de la banda de energía prohibida deCdTe con el método de punto de inflexion, no fuenecesario calcular el coeficiente de absorción, como ocurrecon otros métodos.

REFERENCIA BIBLIOGRÁFICA:

1. Bonnet, D., Rabenhorst H. (1972). New results on the evelopment of a thin film p-CdTe–n-CdS heterojunction solar cell. In: Proceedings of the 9th PhotovoltaicSpecialists Conference, 129–131.

2. Guimarães, Luciano de Moura. Electrodeposição galvanostática de Telureto deCádmio sobre silício monocristalino (111). (2006). 67 f. Disertação de Mestrado.Universidade federal de Viçosa. Brasil.

3. Hamaguchi, C. (2009). Basic Semiconductor Physics. Sec. Edit. Osaka. Japan.4. Morales, O. (2011). Construção e caracterização de células solares de filmes finos de

CdTe. Disertação de Mestrado, Universidade Estadual Paulista de São Paulo-IlhaSolteira, Brasil.

5. Romeo, N., Bosio, A., Canevari, V., Podesta, A.. (2004). Recent progress on CdTe/CdSthin film solar cells. Solar Energy 77, 795–801.

6 Shalinova, K.V. (1975) Física de los semiconductores. Moscú. Ed. MIR..

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