Atencia Nevado Rosa Pamela - Los semiconductores intrínsecos y dopados

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Atencia Nevado Rosa Pamela

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Los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirán hacie el extremo izquierdo del cristal, de esta manera entran al cristal y se combinan con los huecos que llegan al extremo izquierdo del cristal.

Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.

Al llegar los electrones lires al

extremo derecho del cristal,

entran al conductor externo y

circulan hacie el terinal

positivo de la batería.

http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1

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La generación eléctrica de pares electrón – hueco

se explica de la siguiente manera:

Si un electrón de valencia se convierte en

electrón de conducción deja una posición

bacante, si se aplica un campo eléctrico

al semiconductor, este hueco es ocupado

por otro electrón de valencia que deja

otro hueco.

Este efecto es de una carga +e

moviéndose en dirección del campo

eléctrico.

http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.h

tml

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Consiste en sustituir algunos atomos de silicio por atomos de otros elementos conocidos como impurezas.

Según el tipo de impureza con el que se dope el semiconductor puros o intrinsecos, aparecen 2 tipos de conductores:

Semiconductores Tipo P

Semiconductores Tipo N

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Para los semiconductores del

grupo IV como el Germanio, Silicio

y Carburo los dopantes mas

comunes son elementos del grupo

III o del grupo V, Boro, Fósforo,

Arsénico, y ocasionalmente el

Galio, son utilizados para dopar al

silicio.

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(se

miconductores)

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El dopaje tipo P, se crean

agujeros mediante la

incorporación en caso del

silicio de átomos con 3

electrones de valencia,

por lo general se utiliza el

Boro.

http://www.textoscientificos

.com/energia/celulas