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FAMILIASLÓGICAS CMOS
MICROELECTRÓNICA - 0160902
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CONTENIDO
1. INTRODUCCIÓN
2. PUERTAS LÓGICAS
3. PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS 4. SUBFAMILIAS CMOS
5. DIFERENCIAS ENTRE CMOS Y TTL
6. APLICACIONES
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COMPUERTAS BASICAS
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COMPUERTAS BASICAS
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COMPUERTAS BASICAS
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PARÁMETROSCARACTERÍSTICOS
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MARGEN DE RUIDO
VNIL = VILmax - VOLmax
VNIH = VOHmin - VIHmin
Alrededor de 30% VDD
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FAN-OUT
Número máximo de compuertas que pueden
conectarse a la salida de una compuerta.Típicamente de 8 a 50
CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS
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FAN-IN
Número de entradas que puede aceptar
una compuerta.Existen limitantes en retrasos yvelocidad.
CARACTERÍSTICAS ELECTRICAS
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RETARDO DE PROPAGACIÓN
Depende del voltaje de alimentación.
Para una compuerta NAND típica es de 50nSpara VDD = 5V y de 25nS para VDD = 10V.
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DISIPACIÓN DE POTENCIA
Potencia estática
Potencia dinámica
VDD = 5V PD = 2.5 nW
VDD = 10V PD = 10 nW
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• DISIPACION DE POTENCIA
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PRODUCTORETARDO - POTENCIA
Es una figura de mérito que indica el grado en elcual una familia lógica se acerca al ideal. Típicode 11pJ
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SERIE 4000
4000A (PRIMERA EN APARECER)
4000B (SALIDAS CON BUFFER)
4000UB (SALIDAS SIN BUFFER)
LA TENSION DE ALIMENTACION OSCILA
ENTRE 3 Y 15 VOLTIOS
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SERIE DE ALTA VELOCIDAD(HC\HCT\HCU)
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SERIE AVANZADA (AC\ACT)
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DIFERENCIAS ENTRE LASFAMILIAS CMOS Y TTL
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En la fabricación de CI se usan transisitores bipolares parael TTL y mosfet para la CMOS.
Los CMOS requieren de menor espacio (area en el CI).
Los CI CMOS son de menor consumo de potencia que losTTL.
Los CMOS tiene mayor inmunidad al ruido que los TTL.
Los CMOS presentan un mayor intervalo de voltaje y un
factor de elevado que los TTL.
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CONCLUSIONES
La tecnología CMOS consume sólo potencia dinámica locual hace que su consumo dependa de su frecuencia de
operación. Los dispositivos CMOS se utilizan principalmente en
circuitos alimentados con baterías dado su bajo consumode potencia.