ELECTRONICA

BERRUECOS DOMINGUEZ JESUS ENRIQUE SANCHEZ ROMERO JORGE EMMANUEL

BECERRA QUEVEDO ARGENIS

CIRCUITOS CON TRANSISTORES -PUNTO DE OPERACIÓN-

PROFESOR: EDUARDO MONTOYA.

19 DE SEPTIEMBRE DE 2014

Introducción.

Punto de trabajo o de operación (Q) de un transistor BJT o bipolar.

El transistor que opera en una región lineal debe de tener características

eléctricas lineales para poder proporcionar una amplificación.

En este tipo de circuitos, la señal amplificada se encuentra en la salida, y por

siguiente, hay un aporte de tensión externa denominadas fuentes de alimentación

o fuente de polarización.

Las fuentes de alimentación cubren dos funciones: administrar las corrientes y

tensiones en continua para que el transistor opere en la región lineal y suministrar

energía al transistor la cual parte de ella va a ser convertida en potencia

(Amplificación).

Los valores de corrientes y tensiones en continua en los terminales de un

transistor se denomina punto de trabajo u operación y se suele expresar por la

letra Q(Quiescent operating point).

Objetivos.

Objetivo general.

Obtener el punto de operación de un transistor NPN utilizando el

método analítico por medio de fórmulas y teoría reafirmando los resultados

prácticamente, comparando y obteniendo el error obtenido entre los dos métodos.

Objetivos específicos.

Armar y hacer funcionar los circuitos dados por el profesor para

obtener el punto de operación del transistor en cada uno de los tres casos que se

proporcionaran.

Analizar y comparar resultados de cada uno de los tres circuitos

armados de manera analítica y práctica.

Reportar resultados.

Materiales.

Desarrollo.

Experimento 1

Modificar el siguiente circuito para que trabaje en la región activa.

El primer paso para obtener el punto de operación

del transistor es obteniendo el voltaje que se

encuentra en la base del transistor VB.

V B=(V CC)(R2)R1+R2

V B=(14)(6.1)56+6.1

=1.37V

Después de obtener el voltaje en la base del

transistor es necesario obtener la corriente IB para ello obtenemos la resistencia

que existe en la base del transistor(Resistencia de Thevenin).

RTH=RB=1

156

+16.1

=5.5KΩ

−IB−V B+V BE

RB+RE(β+1)= −1.37+0.75.5∗103+220(290+1)

=−9.63∗10−6=9.36∗10−6

Obtenemos IE.

IE=(β+1 ) IB=(β+1)(9.63∗10−6)

Al obtener IE,IC,IB Se puede obtener el voltaje de VCE.

V CC−IC RC−V CE−I E RE=0

V CC−IC RC−I ERE=V CE=14−(2.79∗10−3 ) (2.2∗103 )−(β+1 )9.63∗10−6 (220 )=2.79∗10−3

Comparando valores calculados con valores medidos.

Valor calculado Valor medido

IB 9.66*106 A -

IC 2.79 mA 3.64 mA

IE 0.811 A 3.56 mA

VCE 7.24 V 5.16 V