Polarizacin del transistor

Instituto Politcnico Nacional ESIME ZacatencoIngeniera ElctricaElectrnica 1

Nombre del profesor: CARRERA MILLAN JOSE LUCIANO

Nombre de los integrantes del equipo: Aguilar Lpez Luis Andrs Cano Gutirrez Job Grupo: 4EV4 Tema de exposicin: Circuitos Bipolares

INTRODUCCION BJT (Bipolar Junction Transistor) Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado solidode tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal. El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (Noexiste desgaste por partes mviles).Constitucin interna de un BJTEn npn, la regin de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unin Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, los electrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor nmero de huecos, por lo que son atrados por el colector (con alta concentracin de impurezas).Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base.En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base.Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor.Unin colector: es la unin pn entre la base y colector.Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npnEn el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base-Emisor; e inversamente la unin Base-Colector.Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarizacin directa), y Vce>Vbe (unin base-colector en inversa). La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

Regiones de operacin del BJTSegn el modelo exponencial, el diodo presenta dos posibles regiones de funcionamiento: la regin directa y la regin inversa. Sabemos que los diodos reales presentan una tercera regin, la de ruptura, pero de momento ignoraremos dicha regin. Los transistores bipolares poseen dos uniones pn cada una de las cuales puede operar en dos regiones, por lo tanto existen cuatro regiones de operacin de los BJTs llamadas zona activa directa, zona de saturacin, zona de corte y zona activa inversa. Las cuatro se definen en la tabla siguiente. Unin de emisor en Unin de colector en El BJT opera en Directa Inversa Zona activa directa Directa Directa Regin de saturacin Inversa Inversa Regin de corte Inversa Directa Zona activa inversa

Zona de saturacin:El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.Zona activa:En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente , determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.Zona de corte:El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.