Propiedades de Los Semiconductores

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PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES Un semiconductor es un material que se puede comportar como conductor o aislante dependiendo de varios factores, como son la presión, la radiación, la temperatura, el campo eléctrico y el campo magnético. En la tabla periódica nos encontramos el cadmio (Cd),Aluminio (Al),Galo (Ga),Boro (Bo),Indio (In),Silicio (Si),Carbono (Ca),Germanio (Ge),Antimonio (Sb),Arsénico (As),Fosforo (P),Selenio (Se),Teluro (Te) y Azufre (S) como materiales semiconductores. Los más usados son por este orden el Silicio y el Carbono. Hay varios tipos de semiconductores: -Intrínsecos: Es un cristal de silicio que forma una estructura tetraédrica mediante enlaces covalentes entre sus electrones. A temperatura ambiente y absorbiendo la energía necesaria, algunos electrones pueden saltar a la banda de conducción (Es el intervalo de corrientes eléctricas que estando por encima de la banda de valencia permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico, y permitir la presencia de corrientes eléctricas). El proceso también puede producirse a la inversa, llamándose entonces recombinación. -Extrínsecos: Es un conductor intrínseco al que se le añaden impurezas (dopado) que sustituirán a un átomo de silicio. -Tipo N: Se obtiene dopando a un semiconductor para aumentar el número de portadores de cargas libres, el material añadido cede sus electrones al semiconductor.

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Semiconductores

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PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un material que se puede comportar como conductor o aislante dependiendo de varios factores, como son la presin, la radiacin, la temperatura, el campo elctrico y el campo magntico.En la tabla peridica nos encontramos el cadmio (Cd),Aluminio (Al),Galo (Ga),Boro (Bo),Indio (In),Silicio (Si),Carbono (Ca),Germanio (Ge),Antimonio (Sb),Arsnico (As),Fosforo (P),Selenio (Se),Teluro (Te) y Azufre (S) como materiales semiconductores.Los ms usados son por este orden el Silicio y el Carbono.Hay varios tipos de semiconductores:

-Intrnsecos: Es un cristal de silicio que forma una estructura tetradrica mediante enlaces covalentes entre sus electrones. A temperatura ambiente y absorbiendo la energa necesaria, algunos electrones pueden saltar a la banda de conduccin (Es el intervalo de corrientes elctricas que estando por encima de la banda de valencia permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo elctrico, y permitir la presencia de corrientes elctricas). El proceso tambin puede producirse a la inversa, llamndose entonces recombinacin.

-Extrnsecos: Es un conductor intrnseco al que se le aaden impurezas (dopado) que sustituirn a un tomo de silicio.

-Tipo N: Se obtiene dopando a un semiconductor para aumentar el nmero de portadores de cargas libres, el material aadido cede sus electrones al semiconductor.

-Tipo P: Se obtiene dopando al semiconductor, pero en este caso es el semiconductor el que cede sus electrones.

GAP El GAP es la diferencia de energa entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conduccin. La conductividad de un semiconductor puro, depende de la anchura del GAP.