Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo “p” con una banda prohibida ancha.
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Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo “p” con una banda prohibida ancha.
Actividades:
-Deposito de contactos metálicos multi-capas sobre p-GaAs y p-GaN: Ni-Au, In-Au, Pd-Au, ect.-Recocido en gases diferentes: aire, N2, N2+O2, etc - Medición de I-V, PL y otros características de las estructuras.-Medición con método SIMS perfiles en profundidad sobre estructuras con contactos. -Implantación de In en estructura: película metálica-semiconductor.-Simulación de implantación iónica en semiconductores con el método de Monte - Carlo.
Estudio: Técnica SIMS, XRD, AFM/SCM, PL, SKM, técnica de implantación de iones, mediciones I-V, recocido en vacio y varias gases.Nivel: Maestría y doctorado.
0 200 400 600100
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Inte
ncity
,cps
Time, sec
NiAu
Ga
N
CO
"Thick" Au/Ni contact
0 500 1000 1500 2000 2500
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Inte
nsity
, cps
Time, sec
C N O Ga In
In2O3 In GaN
1
10
100
1000
10000
100000
1000000
Counts
Position [°2Theta] (Copper (Cu))35 40 45
-15 -10 -5 0 5 10 15
Cor
rient
e, m
A
Vottaje, V
contacto Ni/Au sin recoser
0.02
0.01
0.00
-0.01
Perfiles de SIMS para dos contactos de Au/Ni/GaN y In/GaN
Difractograma y Característica I-V de un contacto recosido.
Tema II. Estudio de la difusión en semiconductores
Actividades:- Construcción de una estufa de alto vacío (10-6 Torr) para calentar muestras semiconductores hasta la temperatura de 1200oC;- Construcción de una línea de gases (N2, Ar, H2+N2, etc) para hacer un recosido en gases diferentes;- Preparación de las muestras de prueba por implantación de cristales semiconductores y depósito de una película de silicio amorfo como un fuente del hidrógeno;- Deposito de los contactos metálicos sobre GaN/AlGaN;- Mediciones con SIMS de perfiles de profundidad para elementos difundidos; - Comparación de perfiles para varias temperaturas y varias gases;
Estudio: Técnica SIMS, técnica de implantación de iones, efecto de difusión, construcción y uso de los sistemas de alto vacío.Nivel: Maestría, doctorado
Estufa de alto vacio Difusión de Ar en GaN estimulado por radiación
Re-distribucion de Na en Si después de recosido con varias temperaturas
Tema III. Investigación de la morfología superficial después del bombardeo con iones acelerados (ion sputtering).
Actividades:- Estudio teórico de la formación morfológica superficial bajo el bombardeo iónico.- Preparación de cráteres experimentales por erosión iónica con iones de Oxigeno y de Cesio (ion sputtering) sobre los semiconductores de interés. Variación del tipo de iones de bombardeo, su energía y ángulo de incidencia.-Mediciones de rugosidad superficial por el método microscopia de fuerza atómica (AFM) o con un perfilómetro de punta.-Estudio de aplicación de los superficies nano-estructurados
a) Microscopio de Fuerzas Atómicas Solver-Next (NT-MDT). b) Mapa superficial 3-dimensional de un cristal de CdS después del bombardeo iónico con iones de cesio.
Estudio: técnica AFM, efecto de “ion sputtering”.Nivel: Maestría y doctorado
Formacion de piramides sobre superficie de epi- GaN por bombardimiento con iones de O2+ con energia 12.5 keV
Tema IV. Investigación de la morfología y características eléctricas de las hetero-estructuras semiconductoras
Actividades:Medición de la resistencia y del potencial superficial local sobre varias semiconductores. Preparación de biseles y comparación entre estructura de los capas y sus características eléctricas investigación de p-n unión.Descubrimiento de técnicas nuevas para una caracterización eléctrica local superficial.
Estudio: Técnicas AFM, EFM, SKM, FMM, LFM, MFM, otras.Nivel: Maestría y doctorado
500nm
Vbias= 0.5 V Izquierda: AFM imagen de una celda solar de CdTe/CdS (sección transversal) . a) imagen de topografía. b) imagen de la potencial superficial (posición
de p-n unión).
Relieve (arriba) y distribución de la potencial superficial sobre p-n unión en Si (sección transversal)
Resistencia local superficial de GaN