TRANSISTORES

Programa: Ing. de Sistemas e Informática

Curso: Física Electrónica

Alumno: Ferni Francisco Nogueira Linari

Profesor: Roberto Rodríguez Cahuana

2014

Especificaciones Técnicas del Transistor

2N2222

Material: SiPolaridad del transistor: NPN

El 2N2222 es un transistor de unión bipolar basado en silicio; está ampliamente disponible para su compra en tiendas de componentes electrónicos. Este transistor se usa como un transistor con propósitos generales. Su bajo costo y disponibilidad lista le permite al transistor ser usado a bajo voltaje o con circuitos electrónicos de baja señal para aficionados.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASProducto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 250Capacitancia de salida (Cc), pF: 8Ganancia de corriente contínua (hfe): 100Empaquetado / Estuche: TO18

ESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pc): 0.5Tensión colector-base (Ucb): 60Tensión colector-emisor (Uce): 30Tensión emisor-base (Ueb): 5Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Especificaciones Técnicas del Transistor

2N3055

Los transistores de potencia como el 2N3055 actúan como amplificadores que recogen y emiten corriente a través de una base de metal. Tales componentes funcionan como conmutadores para desviar corriente en distintos dispositivos electrónicos, desde televisores hasta reguladores de voltaje. El 2N3055 es un transistor de corriente complementario de silicio fabricado por numerosas compañías. Aunque muchos fabricantes proveen este transistor, sus especificaciones son las mismas para cada marca.

Material: SiPolaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pc): 117Tensión colector-base (Ucb): 100Tensión colector-emisor (Uce): 70Tensión emisor-base (Ueb): 7Corriente del colector DC máxima (Ic): 15Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 200

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASProducto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 0.2Capacitancia de salida (Cc), pF:Ganancia de corriente contínua (hfe): 20Empaquetado / Estuche: TO3

Especificaciones Técnicas del Transistor

3SK87 Mosfet

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Tipo de FET: MOSFETPolaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pd): 0.2Tensión drenaje-fuente (Uds): 20Tensión compuerta-fuente (Ugs): 10Corriente continua de drenaje (Id): 0.025Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 125

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASTiempo de elevación (tr):Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 3.5Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm:Empaquetado / Estuche: MACROX

Especificaciones Técnicas del Transistor

TIP35C

Transistor bipolar de propósito general diseñado para aplicaciones de amplificador de potencia y de conmutación.

Material: SiPolaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pc): 90Tensión colector-base (Ucb): 140Tensión colector-emisor (Uce): 100Tensión emisor-base (Ueb): 5Corriente del colector DC máxima (Ic): 25Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASProducto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 3Capacitancia de salida (Cc), pF:Ganancia de corriente contínua (hfe): 20Empaquetado / Estuche: TOP3

Especificaciones Técnicas del Transistor

FET 2N70002

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).

Tipo de FET: MOSFETPolaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMASDisipación total del dispositivo (Pd): 0.2Tensión drenaje-fuente (Uds): 60Tensión compuerta-fuente (Ugs): 40Corriente continua de drenaje (Id): 0.115Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICASTiempo de elevación (tr):Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 50Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 7.5Empaquetado / Estuche: SOT23