Transistoresde efecto de campo
Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el
cuerpo del semiconductor, mediante un campo elctrico distribuido en toda su
extensin. La magnitud del campo elctrico es determinada por el voltaje
externo de control aplicado al dispositivo.
- Porque utilizar un
FET ?
- Que diferencias
existen con un
BIPOLAR ?
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan
menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI.
Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin
para valores pequeos de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener
carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como
elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
Ventajas de los Fets
Desventajas que limitan la utilizacin de los Fets
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la
alta capacidad de entrada.
Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son
menos lineales que los BJT.
Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica
Clasificacin general de los FETs
Simbologa de los FETs
Transistor efecto de campo de juntura - JFET
El J-FET es un dispositivo de tres estados:Zona de corte si : entonces: ID=IS=0
PDGPGD
PDGPGDPGS VVVVVsiactivaZona
VVVVVsihmicaZonaVvconduccindeZona
:
::
El lmite entre la zona hmica y la activa viene marcada en viene marcada por la igualdad VDG=-VP
Curva caractersticas de un JFET
Ecuaciones del JFET
Transistor de metal oxido semiconductor- MOSFET
Forma de
funcionamiento
Curvas caractersticas del Mosfet de acumulacin.Las curvas ms importantes que describen en funcionamiento del MOSFETson las de transferencia y las de salida.Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente desalida (ID) con la tensin de entrada (VGS). En las figuras siguientes seobserva para los transistores de canal N y P respectivamente.
Vt = Vth = Tension umbral
Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor deVGS y relacionan la corriente de salida (ID) versus la tensin de salida(VDS).Son tiles para ver las zonas de operacin del dispositivo y definir los
conceptos de punto de operacin y rectas de carga esttica y dinmica.
VGS3
VGS4
VGS1
VDS = VGS - VTH
SATURACION OCORRIENTE CONSTANTE
ID
VDS
VGS2
OHMICA
CORTE
Ecuaciones del Mosfet
(Acumulacin)
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